Toshiba в сотрудничестве с SanDisk будут производить флеш-память повышенной емкости.

19-нанометровый производственный техпроцесс позволит создавать очень миниатюрные и карты флеш-памяти NAND высокой емкости. На одном таком чипе Toshiba уже помещается 8 Гбайт данных. Это делает возможным создание флеш-памяти для смартфонов и планшетов емкостью до 128 Гб для одной карты — вдвое больше, чем удалось получить в прошлом. Это еще не все, потому что новые карты будут также быстрее работать благодаря использованию технологии DDR2.0, которая ускоряет передачу данных.

Новые флеш-чипы памяти NAND, производимые по 19-нанометровой технологии, уже запущены в производство и проходят тестирование. Предполагаемая дата начала массового производства — лето.